Vishay最新发布了第四代650 V E系列功率MOSFET，该系列器件可显著提高通信、工业和计算应用的能效和功率密度。

Vishay Siliconix的新型n沟道SiHP054N65E与其前代器件相比，降低了48.2%的导通电阻，并将导通电阻与栅极电荷乘积降低了59%。这个参数在650 V MOSFET的功率转换应用中被认为是一个重要的优势值系数（FOM）。

Vishay拥有广泛的MOSFET技术，可全面支持功率转换过程，包括各种需要从高压输入到低压输出的先进高科技设备。借助SiHP054N65E的推出以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay能够满足电源系统架构设计初期对提高能效和功率密度的需求，包括功率因数校正（PFC）和后续的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储；不间断电源（UPS）；高强度放电（HID）灯和荧光镇流器；太阳能逆变器；焊接设备；感应加热；电机驱动；以及电池充电器。

SiHP054N65E采用了Vishay先进的高能效E系列超级结技术，其在10 V下的典型导通电阻仅为0.051Ω，因此可以支持2 kW以上的额定功率应用。该器件符合开放计算项目Open Rack V3（ORV3）标准的要求。此外，该MOSFET的栅极电荷下降到了仅有72 nC。器件的FOM为3.67Ω*nC，比同类竞争产品低了1.1%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而实现节能效果，提高能效。此外，该器件也满足了服务器电源的钛效应特殊要求，以及通信电源达到96%峰值效率的需求。

最新发布的MOSFET的有效输出电容Co(er)和Co(tr)的典型值分别为115 pF和772 pF，这些参数有助于改善硬开关拓扑结构的开关性能，例如功率因数校正、半桥和桥关顺向设计。该器件的电阻与Co(tr)的乘积FOM低至5.87Ω*pF，处于行业领先水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt的耐用性，同时符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，能够在雪崩模式下承受电压瞬变，并经过100%的UIS测试来保证其极限值。

Vishay 650 V E系列MOSFET优势:

1,第四代器件

2,提升额定功率和功率密度

3,降低导通和开关损耗

4,提高能效