OSG60R108FZ GreenMOS®高压MOSFET利用电荷平衡技术实现了卓越的性能低导通电阻和低栅极电荷。其设计旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。

OSG60R108FZ GreenMOS®Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以最大限度地减少反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑，以达到更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。

OSG60R108FZ特征:

• 低RDS（ON）和FOM

• 极低的开关损耗

• 出色的稳定性和均匀性

• 超快且坚固的体二极管

OSG60R108FZ应用:

• PC电源

• 电信电源

• 服务器电源

• 电动汽车充电器

• 电机驱动器