高速单通道低压侧驱动器SGM48520设计用于驱动GaN FET和逻辑级MOSFET。应用领域包括激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低压侧驱动器的功率转换器。带有TDFN封装的SGM48520提供6A源和4A汇输出电流能力。此外，WLCSP封装的输出电流能力更好。分流输出配置允许根据场效应管优化单独的开启和关闭时间。具有最小寄生电感的封装和引脚减少了上升和下降时间，并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的2ns传播延迟允许在高频下高效运行。
驱动器具有内部欠压锁定和过热保护，防止过载和故障事件。
SGM48520有绿色WLCSP-0.88×1.28-6B和TDFN-2×2-6AL封装。
特征
● 5V电源电压
● 6A峰值源电流和4A峰值汇电流
● 用于氮化镓和硅场效应管的超快低边栅极驱动器
● 最小输入脉冲宽度：1ns
● 高达60MHz的运行
● 传播延迟：2ns（典型值）
● 上升时间：570ps（典型）
● 下降时间：610ps（典型）
● 保护功能：
● 欠压锁定（UVLO）
● 过温保护（OTP）
● 有绿色WLCSP-0.88×1.28-6B和TDFN-2×2-6AL包装
应用
激光测距系统
5G射频通信系统
无线充电系统
GaN直流/直流转换系统