TPM2025/TPM2025Q系列为低压侧双通道用于GaN和逻辑级MOSFET的超高速栅极驱动器。

它针对高速应用进行了优化，如激光雷达和具有增强低传播的高密度功率变换器延迟设计。TPM2025的2毫米×2毫米倒装芯片QFN封装最大限度地减少了栅极驱动器电源中的寄生电感循环并实现最先进的窄脉冲宽度为0.69纳秒。通道独立瞬态抑制器确保具有超快大电流输出脉冲的可靠运行。

特征

-AEC-Q100 1级合格（仅限TPM2025Q）

-双独立通道

-具有优化输出阻尼的Gan 5伏单电源可靠性

-7-A峰值源和5-A汇驱动电流

-0.69-ns最小输入脉冲宽度（典型）

-低传播延迟（典型2 ns）

-纳秒脉冲宽度的优化引脚

-快速上升和下降时间（典型值为0.45-ns和0.45-ns）

-<两个通道之间的0.61-ns典型延迟匹配

-ESD保护超过JESD 22–2-kV HBM，1-kV CDM

-可用倒装芯片QFN2X2-10封装

应用

-激光测距系统

-汽车激光雷达

-驾驶员监控系统

-GaN直流/直流转换系统

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