TPM2003是一种高压、大电流NMOS晶体管大堆该设备由七个低侧NMO通道组成具有高压输出和续流二极管的晶体管对于感应负载。
单个NMOS通道的最大漏电流额定值为500毫安。该设备支持1.8V的宽输入/输出电压范围到30 V。晶体管可以并联驱动以获得更高的电流能力。增强的ESD性能提高了系统级别可靠性TPM2003可以取代传统的双极达林顿阵列具有更好的热效率和可靠性。

特征
⚫ 7通道达林顿阵列的引脚到引脚（ULN2003A）
⚫ 500 mA额定漏电流（每个通道）
⚫ 每通道极低的输出泄漏<10毫安
⚫ 低RDS开启时的能效
⚫ 扩展温度范围：TA=–40°C至125°C
⚫ 高压输出50 V
⚫ 与1.8-V至5.0-V逻辑接口兼容
⚫ 感应负载用集成自由转动二极管
⚫ 使用集成RC滤波器提高抗噪性
⚫ 增强ESD保护超过JESD 22–2.5-kVHBM，1.5-kV CDM
⚫ 提供16针SOP-16和TSSOP-16包装
应用
⚫ 感应负载
◼ 继电器
◼ 单极步进电机和有刷直流电机
◼ 电磁阀和阀门
⚫ LED指示灯
⚫ 逻辑电平移位
⚫ 栅极和IGBT驱动