SY6882A/B集成了极低RDS（ON）N沟道MOSFET，具有精确的过电压保护，可防止高达25V的高压故障。线性模式激活，以将输出电压保持在5.5V，输入电压达到输入过电压阈值。

SY6882A具有7.1V的内部固定过电压保护点，SY6882B具有两个外部电阻可编程的过电压阈值。当VIN高于过电压阈值时，将关闭内部NFET以断开输入和输出。集成开关的低RDS（ON）有助于减少正常操作期间的功耗。

控制/EN引脚以启用或禁用设备，/FLB指示OVP和OTP。

特征

N沟道MOSFET开关的低RDS（ON）：典型值为100 m

2.0A最大持续电流

高达25V的过电压保护

SY6882A：7.1V时的内部固定过电压保护阈值

SY6882B：外部可编程过电压保护阈值

热关机保护和自动恢复

OVP和OTP故障标志

300μA最大静态电流

关机模式下最大20μA

符合RoHS标准且无卤素

紧凑型封装：DFN2×2-8

应用

手机

数码相机

全球定位系统

MP3播放器

个人数据助理（PDA）

USB热插拔/带电插入设备