SY6883集成了一个极低RDS（ON）N沟道MOSFET，具有精确的过压保护，可防止高达25V的高压故障。线性模式用于将输出电压保持在5.5V，输入电压达到输入过压阈值。

SY6883具有使用两个外部电阻器的可编程过压阈值。当VIN高于过电压阈值时，内部NFET关闭以断开输入和输出。集成开关的低RDS（ON）有助于减少正常运行期间的功耗。

控制/EN引脚以启用或禁用设备，/FLB指示OVP和OTP。

特征

N沟道MOSFET开关的低RDS（ON）：典型值为100 m

2.0A最大持续电流

高达25V的过电压保护

外部可编程过电压保护阈值

热关机保护和自动恢复

OVP和OTP故障标志

300μA最大静态电流

20μA最大停机电流

符合RoHS标准且无卤素

紧凑型封装：SOT23-6

应用

手机

数码相机

全球定位系统

MP3播放器

个人数据助理（PDA）

USB热插拔/带电插入设备