东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

东微半导体成立于2008年，注册资本9432.6914万元，是一家技术驱动型的半导体技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破，新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道，引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前，东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国际一线客户，并受到了客户的一致好评。2022年2月10日，东微半导体登陆上海证券交易所科创板上市，证券代码：688261。