第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管。

目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，适合在追求极限效率的系统中使用，支持80-100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用。

东微半导体成立于2008年，注册资本9432.6914万元，是一家技术驱动型的半导体技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破，新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道，引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前，东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国际一线客户，并受到了客户的一致好评。2022年2月10日，东微半导体登陆上海证券交易所科创板上市，证券代码：688261。